数量:1个NPN-预偏置,最小输入电压(VI(on)):1.1V@5mA,0.3V,电阻比率:26,直流电流增益(hFE):80@10mA,5V,耗散功率(Pd):200mW,输入电阻:2.86kΩ,输出电压(VO(on)):0.3V@5mA,0.25mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):100mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 数字晶体管 | |
数量 | 1个NPN-预偏置 | |
最小输入电压(VI(on)) | 1.1V@5mA,0.3V | |
电阻比率 | 26 | |
直流电流增益(hFE) | 80@10mA,5V | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
输入电阻 | 2.86kΩ | |
输出电压(VO(on)) | 0.3V@5mA,0.25mA | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集电极电流(Ic) | 100mA |