射基极击穿电压(Vebo):-,工作温度:-,数量:1个PNP-预偏置,晶体管类型:PNP,最大输入电压(VI(off)):500mV@100uA,5V,最小输入电压(VI(on)):3V@5mA,200mV,特征频率(fT):250MHz,电阻比率:1.2,直流电流增益(hFE):56,耗散功率(Pd):200mW,输入电阻:28.6kΩ,输出电压(VO(on)):300mV@10mA,500uA,集射极击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):100mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@5mA,200mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 直流电流增益(hFE) | 56 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电阻 | 28.6kΩ | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,500uA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |