反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@2.5V,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):630pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.11/个 |
| 200+ | ¥0.0835/个 |
| 600+ | ¥0.0687/个 |
| 3000+ | ¥0.0673/个 |
| 9000+ | ¥0.0596/个 |
| 21000+ | ¥0.0554/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06192
3000 PCS/盘
嘉立创补贴7.99%
一盘能省掉16.14元