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STS2DNF30L
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STS2DNF30L
- 商品编号
- C361046
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000226千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):11pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.11Ω@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):121pF@25V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.11Ω@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 121pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.006/个 |
| 10+ | ¥5.459/个 |
| 30+ | ¥5.159/个 |
| 100+ | ¥4.813/个 |
| 500+ | ¥4.404/个 |
| 1000+ | ¥4.335/个 |
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