反向传输电容(Crss):153pF@30V,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):54nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):3600pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 153pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
耗散功率(Pd) | 60W | |
输入电容(Ciss) | 3600pF | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.78/个 |
10+ | ¥2.18/个 |
30+ | ¥1.88/个 |
100+ | ¥1.62/个 |
500+ | ¥1.36/个 |
1000+ | ¥1.31/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.268
2500 PCS/盘
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