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FDP61N20
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDP61N20
- 商品编号
- C364876
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00288千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):0.041Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):75nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):417W,输入电容(Ciss):3380pF,输出电容(Coss):840pF,连续漏极电流(Id):61A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.041Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 输入电容(Ciss) | 3380pF | |
| 输出电容(Coss) | 840pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥15.0212/个 |
| 10+ | ¥13.178/个 |
| 50+ | ¥12.0836/个 |
| 100+ | ¥10.975/个 |
| 500+ | ¥10.465/个 |
| 800+ | ¥10.234/个 |
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