反向传输电容(Crss):210pF,导通电阻(RDS(on)):0.05Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):36nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):740pF,输出电容(Coss):190pF,连续漏极电流(Id):4.7A,连续漏极电流(Id):3.4A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.05Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.46/个 |
| 10+ | ¥1.97/个 |
| 30+ | ¥1.76/个 |
| 100+ | ¥1.5/个 |
| 500+ | ¥1.2/个 |
| 1000+ | ¥1.13/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.117
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