反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):0.29Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):177nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):208W,输入电容(Ciss):2320pF,输出电容(Coss):1250pF,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V@1000uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 60pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.29Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 177nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
耗散功率(Pd) | 208W | |
输入电容(Ciss) | 2320pF | |
输出电容(Coss) | 1250pF | |
连续漏极电流(Id) | 17A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@1000uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥12.88/个 |
10+ | ¥11.06/个 |
50+ | ¥9.03/个 |
100+ | ¥7.87/个 |
500+ | ¥7.34/个 |
1000+ | ¥7.12/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.3076
50 PCS/盘
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