上升时间(tr):85us,下降时间(tf):80us,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+150℃,工作电压:-,拉电流(IOH):-,灌电流(IOL):-,特性:欠压保护(UVP),特性:短路保护(SCP),特性:过热保护(OTP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):5uA,驱动通道数:-,驱动配置:低边,驱动配置:全桥,驱动配置:高边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电机驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 85us | |
| 下降时间(tf) | 80us | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作电压 | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 短路保护(SCP) | |
| 特性 | 过热保护(OTP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | 5uA | |
| 驱动通道数 | - | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 驱动配置 | 全桥 | |
| 驱动配置 | 高边 |