反向传输电容(Crss):66.8pF@25V,导通电阻(RDS(on)):23mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):55W,输入电容(Ciss):1562pF@25V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 66.8pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 55W | |
输入电容(Ciss) | 1562pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.77/个 |
50+ | ¥0.599/个 |
150+ | ¥0.511/个 |
500+ | ¥0.439/个 |
2500+ | ¥0.397/个 |
5000+ | ¥0.38/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.36524
2500 PCS/盘
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