导通电阻(RDS(on)):120mΩ@2.5V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.4nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.4W,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 9.4nC | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.22/个 |
200+ | ¥0.171/个 |
600+ | ¥0.144/个 |
3000+ | ¥0.128/个 |
9000+ | ¥0.114/个 |
21000+ | ¥0.107/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11776
3000 PCS/盘
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