反向传输电容(Crss):12.6pF,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@4.5V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):55V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):300pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.427/个 |
| 50+ | ¥0.417/个 |
| 150+ | ¥0.41/个 |
| 500+ | ¥0.403/个 |
| 510+ | ¥0.403/个 |
| 520+ | ¥0.403/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.382
3000 PCS/盘
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