反向传输电容(Crss):100pF,反向传输电容(Crss):142pF@10V,导通电阻(RDS(on)):25mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):14V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.14W,输入电容(Ciss):407pF,输入电容(Ciss):561pF@10V,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):5.4A,连续漏极电流(Id):3.6A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 100pF | |
反向传输电容(Crss) | 142pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 14V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.14W | |
输入电容(Ciss) | 407pF | |
输入电容(Ciss) | 561pF@10V | |
输出电容(Coss) | 115pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |