导通电阻(RDS(on)):250Ω,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:P沟道,栅源击穿电压(Vgss):30V,栅源截止电压(VGS(off)):1V@10nA,漏源电流(Idss):2mA@15V,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | P沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V@10nA | |
| 漏源电流(Idss) | 2mA@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | - |