导通电阻(RDS(on)):80Ω,工作温度:-65℃~+175℃@(Tj),数量:-,栅源击穿电压(Vgss):40V,漏源电流(Idss):8mA@20V,耗散功率(Pd):360mW,输入电容(Ciss):16pF@20V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80Ω | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 漏源电流(Idss) | 8mA@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 输入电容(Ciss) | 16pF@20V |