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2N5115 TO-18 3L
扩展库- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 厂家型号
- 2N5115 TO-18 3L
- 商品编号
- C3753048
- 商品封装
- TO-18-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
- ECCN
- EAR99
商品参数
FET类型:P沟道,反向传输电容(Crss):6pF,导通电阻(RDS(on)):100Ω,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅源击穿电压(Vgss):30V,栅源截止电压(VGS(off)):-,漏源电流(Idss):110mA,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):25pF,输出电容(Coss):-,配置:-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | P沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 110mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
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