MQ2N2609实物图
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MQ2N2609

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品牌名称
MICROCHIP(美国微芯)
厂家型号
MQ2N2609
商品编号
C3753063
商品封装
TO-18(TO-206AA)
商品毛重
0.001千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

FET类型:P沟道,反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-65℃~+200℃,数量:-,栅源击穿电压(Vgss):30V,栅源截止电压(VGS(off)):750mV,漏源电流(Idss):2mA,耗散功率(Pd):300mW,输入电容(Ciss):10pF,输出电容(Coss):-,配置:-

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属性参数值其他
商品目录结型场效应管(JFET)
FET类型P沟道
反向传输电容(Crss)-
导通电阻(RDS(on))-
工作温度-65℃~+200℃
数量-
栅源击穿电压(Vgss)30V
栅源截止电压(VGS(off))750mV
漏源电流(Idss)2mA
耗散功率(Pd)300mW
输入电容(Ciss)10pF
输出电容(Coss)-
配置-

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