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2SK1109(2)-A
扩展库- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 厂家型号
- 2SK1109(2)-A
- 商品编号
- C3753140
- 商品封装
- -
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
- ECCN
- EAR99
商品参数
FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):-,栅源截止电压(VGS(off)):1V,漏源电流(Idss):600uA,耗散功率(Pd):80mW,输入电容(Ciss):7pF,输出电容(Coss):-,配置:-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 漏源电流(Idss) | 600uA | |
| 耗散功率(Pd) | 80mW | |
| 输入电容(Ciss) | 7pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
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