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FQD13N10LTM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQD13N10LTM
- 商品编号
- C37552
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):180mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@5V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):40W,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):520pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.09/个 |
| 10+ | ¥3.28/个 |
| 30+ | ¥2.88/个 |
| 100+ | ¥2.48/个 |
| 500+ | ¥2.24/个 |
| 1000+ | ¥2.12/个 |
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