反向传输电容(Crss):87pF@10V,导通电阻(RDS(on)):24mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):1295pF@10V,输出电容(Coss):160pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 87pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 1295pF@10V | |
输出电容(Coss) | 160pF | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.685/个 |
50+ | ¥0.555/个 |
150+ | ¥0.491/个 |
500+ | ¥0.442/个 |
3000+ | ¥0.344/个 |
6000+ | ¥0.325/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.318
3000 PCS/盘
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