反向传输电容(Crss):530pF,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):38nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):4900pF,输出电容(Coss):1180pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 4900pF | |
| 输出电容(Coss) | 1180pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.051/个 |
| 10+ | ¥2.412/个 |
| 30+ | ¥2.133/个 |
| 100+ | ¥1.8/个 |
| 500+ | ¥1.44/个 |
| 1000+ | ¥1.341/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.341
5000 PCS/盘