反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25.6nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):12.5W,输入电容(Ciss):2080pF,连续漏极电流(Id):19.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.6nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 2080pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0296/个 |
| 10+ | ¥0.817/个 |
| 30+ | ¥0.726/个 |
| 100+ | ¥0.613/个 |
| 500+ | ¥0.562/个 |
| 1000+ | ¥0.532/个 |
| 3000+ | ¥0.456/个 |
| 6000+ | ¥0.452/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.456
3000 PCS/盘