反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):89.2W,输入电容(Ciss):2560pF,连续漏极电流(Id):20.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
耗散功率(Pd) | 89.2W | |
输入电容(Ciss) | 2560pF | |
连续漏极电流(Id) | 20.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.032/个 |
10+ | ¥3.609/个 |
30+ | ¥3.393/个 |
100+ | ¥3.177/个 |
500+ | ¥3.051/个 |
1000+ | ¥2.988/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.809
3000 PCS/盘
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