反向传输电容(Crss):88pF@20V,导通电阻(RDS(on)):4.1mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):2.7W,输入电容(Ciss):2650pF@20V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 2650pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.61/个 |
| 50+ | ¥2.9/个 |
| 150+ | ¥2.54/个 |
| 500+ | ¥2.14/个 |
| 3000+ | ¥1.93/个 |
| 6000+ | ¥1.82/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.7756
3000 PCS/盘
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