反向传输电容(Crss):175pF,导通电阻(RDS(on)):11mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):55nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2900pF,输出电容(Coss):290pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 175pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 2900pF | |
输出电容(Coss) | 290pF | |
连续漏极电流(Id) | 70A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.28/个 |
10+ | ¥1.28/个 |
30+ | ¥1.28/个 |
100+ | ¥1.28/个 |
500+ | ¥1.28/个 |
1000+ | ¥1.28/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.272
800 PCS/盘
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