反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@1.8V,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):16.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):887pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 887pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.22/个 |
| 200+ | ¥0.172/个 |
| 600+ | ¥0.145/个 |
| 3000+ | ¥0.127/个 |
| 9000+ | ¥0.113/个 |
| 21000+ | ¥0.105/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11684
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉30.48元