反向传输电容(Crss):210pF,导通电阻(RDS(on)):0.044Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.38W,输入电容(Ciss):1245pF,输出电容(Coss):375pF,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 210pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.044Ω@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.38W | |
输入电容(Ciss) | 1245pF | |
输出电容(Coss) | 375pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.185/个 |
200+ | ¥0.143/个 |
600+ | ¥0.12/个 |
3000+ | ¥0.104/个 |
9000+ | ¥0.0916/个 |
21000+ | ¥0.0851/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09568
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉24.96元