反向传输电容(Crss):77pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):954pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 77pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 954pF | |
输出电容(Coss) | 115pF | |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |