反向传输电容(Crss):87pF@10V,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@2.5V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):1650pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 87pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@2.5V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 1650pF | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.285/个 |
100+ | ¥0.227/个 |
300+ | ¥0.198/个 |
3000+ | ¥0.16/个 |
6000+ | ¥0.143/个 |
9000+ | ¥0.134/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1472
3000 PCS/盘
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