导通电阻(RDS(on)):0.035Ω@4.5V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,连续漏极电流(Id):8.8A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.035Ω@4.5V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.653/个 |
50+ | ¥0.509/个 |
150+ | ¥0.437/个 |
500+ | ¥0.383/个 |
2500+ | ¥0.34/个 |
5000+ | ¥0.318/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.318
2500 PCS/盘
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