反向传输电容(Crss):125pF,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@5.0V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):830pF,输出电容(Coss):180pF,连续漏极电流(Id):4.3A,阈值电压(Vgs(th)):0.95V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@5.0V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.95V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.172/个 |
| 200+ | ¥0.152/个 |
| 600+ | ¥0.142/个 |
| 3000+ | ¥0.132/个 |
| 9000+ | ¥0.126/个 |
| 21000+ | ¥0.123/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.12144
3000 PCS/盘
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