反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):34W,输入电容(Ciss):720pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):4.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.647/个 |
| 50+ | ¥1.271/个 |
| 150+ | ¥1.122/个 |
| 500+ | ¥0.936/个 |
| 2000+ | ¥0.854/个 |
| 5000+ | ¥0.804/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.16932
50 PCS/盘
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