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TSF10N65M
扩展库- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 厂家型号
- TSF10N65M
- 商品编号
- C382379
- 商品封装
- TO-220F-3
- 商品毛重
- 0.002878千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):18pF,导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):48nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):52W,输入电容(Ciss):1650pF,输出电容(Coss):165pF,连续漏极电流(Id):10A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 输入电容(Ciss) | 1650pF | |
| 输出电容(Coss) | 165pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.33/个 |
| 10+ | ¥2.61/个 |
| 50+ | ¥2.34/个 |
| 100+ | ¥1.95/个 |
| 500+ | ¥1.78/个 |
| 1000+ | ¥1.67/个 |
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