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WFD5N65L
扩展库- 品牌名称
- Winsemi(稳先微)
- 厂家型号
- WFD5N65L
- 商品编号
- C385768
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000453千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):2.5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.7Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):77W,输入电容(Ciss):512pF@25V,连续漏极电流(Id):5A,配置:-,配置:全桥,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 输入电容(Ciss) | 512pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 配置 | - | |
| 配置 | 全桥 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.476/个 |
| 10+ | ¥1.184/个 |
| 30+ | ¥1.0583/个 |
| 100+ | ¥0.902/个 |
| 500+ | ¥0.832/个 |
| 1000+ | ¥0.791/个 |
| 2500+ | ¥0.782/个 |
| 5000+ | ¥0.776/个 |
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