传播延迟(tpd):7ns,共模抑制比(CMRR):-,功能特性:ESD保护,功能特性:锁存功能,工作温度:-40℃~+85℃,比较器数:单路,输入偏置电流(Ib):3uA,输入失调电压(Vos):2.3mV,输出模式:TTL,输出模式:CMOS,输出类型:-,静态电流(Iq):4.5mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 传播延迟(tpd) | 7ns | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 功能特性 | ESD保护 | |
| 功能特性 | 锁存功能 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 比较器数 | 单路 | |
| 输入偏置电流(Ib) | 3uA | |
| 输入失调电压(Vos) | 2.3mV | |
| 输出模式 | TTL | |
| 输出模式 | CMOS | |
| 输出类型 | - | |
| 静态电流(Iq) | 4.5mA |