反向传输电容(Crss):130pF,导通电阻(RDS(on)):33mΩ@10V,工作温度:-40℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):360W,输入电容(Ciss):5860pF,输出电容(Coss):530pF,连续漏极电流(Id):57A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 130pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
工作温度 | -40℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
耗散功率(Pd) | 360W | |
输入电容(Ciss) | 5860pF | |
输出电容(Coss) | 530pF | |
连续漏极电流(Id) | 57A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥15.57/个 |
10+ | ¥13.52/个 |
25+ | ¥10.7/个 |
100+ | ¥9.39/个 |
450+ | ¥8.79/个 |
900+ | ¥8.54/个 |
整盘
单价
整盘单价¥9.844
25 PCS/盘
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