反向传输电容(Crss):56pF,导通电阻(RDS(on)):4mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):44nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):107W,输入电容(Ciss):3375pF,输出电容(Coss):838pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):3.3V@50uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 56pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 107W | |
输入电容(Ciss) | 3375pF | |
输出电容(Coss) | 838pF | |
连续漏极电流(Id) | 80A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@50uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥8.216/个 |
10+ | ¥6.992/个 |
50+ | ¥6.0137/个 |
100+ | ¥5.228/个 |
500+ | ¥4.866/个 |
1000+ | ¥4.712/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.613
50 PCS/盘
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