反向传输电容(Crss):331pF,导通电阻(RDS(on)):3.3mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):93nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):99W,输入电容(Ciss):3183pF,输出电容(Coss):475pF,连续漏极电流(Id):123A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V@100uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 331pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 99W | |
| 输入电容(Ciss) | 3183pF | |
| 输出电容(Coss) | 475pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 123A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@100uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.3/个 |
| 10+ | ¥2.56/个 |
| 30+ | ¥2.24/个 |
| 100+ | ¥1.84/个 |
| 500+ | ¥1.67/个 |
| 1000+ | ¥1.56/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.0608
50 PCS/盘
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