反向传输电容(Crss):35.5pF,导通电阻(RDS(on)):0.44Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):63nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):38.5W,输入电容(Ciss):3095pF,输出电容(Coss):385pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 35.5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.44Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 38.5W | |
输入电容(Ciss) | 3095pF | |
输出电容(Coss) | 385pF | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥17.82/个 |
10+ | ¥15.09/个 |
50+ | ¥12.64/个 |
100+ | ¥10.9/个 |
500+ | ¥10.11/个 |
1000+ | ¥9.77/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.6288
50 PCS/盘
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