反向传输电容(Crss):35.5pF,导通电阻(RDS(on)):0.44Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):63nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):38.5W,输入电容(Ciss):3095pF,输出电容(Coss):385pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.44Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 3095pF | |
| 输出电容(Coss) | 385pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥17.82/个 |
| 10+ | ¥15.09/个 |
| 50+ | ¥12.64/个 |
| 100+ | ¥10.9/个 |
| 500+ | ¥10.11/个 |
| 1000+ | ¥9.77/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.6288
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉50.56元