反向传输电容(Crss):5.5pF@30V,导通电阻(RDS(on)):3Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):2.4nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):16pF@30V,连续漏极电流(Id):340mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5.5pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
输入电容(Ciss) | 16pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 340mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0771/个 |
500+ | ¥0.0672/个 |
3000+ | ¥0.0617/个 |
6000+ | ¥0.0584/个 |
24000+ | ¥0.0555/个 |
51000+ | ¥0.054/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.05676
3000 PCS/盘
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