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SVD501DEAGTR
扩展库- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 厂家型号
- SVD501DEAGTR
- 商品编号
- C389576
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000017千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):0.12pF,导通电阻(RDS(on)):700Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):2.75nC@400V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):10.03pF,输出电容(Coss):2.92pF,连续漏极电流(Id):30mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@8uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.75nC@400V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 10.03pF | |
| 输出电容(Coss) | 2.92pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@8uA |
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