反向传输电容(Crss):34pF,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.8nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):343pF,输出电容(Coss):48pF,连续漏极电流(Id):5.6A,阈值电压(Vgs(th)):2.1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 343pF | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.441/个 |
| 100+ | ¥0.343/个 |
| 300+ | ¥0.295/个 |
| 3000+ | ¥0.258/个 |
| 6000+ | ¥0.229/个 |
| 9000+ | ¥0.215/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.23736
3000 PCS/盘
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