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PJT7600_R1_00001
扩展库- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 厂家型号
- PJT7600_R1_00001
- 商品编号
- C391662
- 商品封装
- SOT-363
- 商品毛重
- 0.000016千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):9.1pF,导通电阻(RDS(on)):325mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):325mΩ@700mA,4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):2.2nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):2.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):151pF,输入电容(Ciss):151pF@10V,输出电容(Coss):27pF,连续漏极电流(Id):1A,连续漏极电流(Id):700mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 325mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 325mΩ@700mA,4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 151pF | |
| 输入电容(Ciss) | 151pF@10V | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.625/个 |
| 50+ | ¥0.497/个 |
| 150+ | ¥0.433/个 |
| 500+ | ¥0.386/个 |
| 3000+ | ¥0.347/个 |
| 6000+ | ¥0.328/个 |
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