反向传输电容(Crss):28pF@50V,导通电阻(RDS(on)):6.1mΩ@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):84.7nC@10V,漏源电压(Vdss):120V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):5600pF@50V,连续漏极电流(Id):129A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 28pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@10V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 84.7nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 120V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 5600pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 129A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.72/个 |
10+ | ¥5.18/个 |
50+ | ¥4.69/个 |
100+ | ¥4.35/个 |
500+ | ¥4.2/个 |
1000+ | ¥4.14/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.3148
50 PCS/盘
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