反向传输电容(Crss):9pF,导通电阻(RDS(on)):7.5Ω@10V,0.5A,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@10V,漏源电压(Vdss):63V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):33pF,输出电容(Coss):14pF,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,0.5A | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 63V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.147/个 |
| 200+ | ¥0.112/个 |
| 600+ | ¥0.0924/个 |
| 3000+ | ¥0.0807/个 |
| 9000+ | ¥0.0705/个 |
| 21000+ | ¥0.065/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.07424
3000 PCS/盘
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