反向传输电容(Crss):50pF,导通电阻(RDS(on)):115mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.4nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.38W,输入电容(Ciss):145pF,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W | |
| 输入电容(Ciss) | 145pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |