反向传输电容(Crss):80pF,导通电阻(RDS(on)):150mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):18nC,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.38W,输入电容(Ciss):1325pF,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W | |
| 输入电容(Ciss) | 1325pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.737/个 |
| 10+ | ¥0.584/个 |
| 30+ | ¥0.507/个 |
| 100+ | ¥0.427/个 |
| 500+ | ¥0.383/个 |
| 1000+ | ¥0.361/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.339
3000 PCS/盘
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