导通电阻(RDS(on)):0.074Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):135nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):270W,连续漏极电流(Id):38.8A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@1.9mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.074Ω@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 270W | |
连续漏极电流(Id) | 38.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.9mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥26.14/个 |
10+ | ¥22.37/个 |
30+ | ¥20.13/个 |
90+ | ¥17.87/个 |
480+ | ¥16.82/个 |
960+ | ¥16.35/个 |
整盘
单价
整盘单价¥18.5196
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