导通电阻(RDS(on)):0.088Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):86nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):230W,连续漏极电流(Id):30.8A,阈值电压(Vgs(th)):3.7V@1.5mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.088Ω@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 230W | |
连续漏极电流(Id) | 30.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V@1.5mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥52.55/个 |
10+ | ¥45.59/个 |
30+ | ¥41.35/个 |
90+ | ¥37.8/个 |
92+ | ¥37.8/个 |
94+ | ¥37.8/个 |
整盘
单价
整盘单价¥38.042
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