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TPHR6503PL,L1Q(M
扩展库- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 厂家型号
- TPHR6503PL,L1Q(M
- 商品编号
- C396032
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.00018千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):220pF,导通电阻(RDS(on)):0.89mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):52nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):170W,输入电容(Ciss):10000pF,输出电容(Coss):2720pF,连续漏极电流(Id):393A,阈值电压(Vgs(th)):2.1V@1.0mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.89mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 输入电容(Ciss) | 10000pF | |
| 输出电容(Coss) | 2720pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 393A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@1.0mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.14/个 |
| 10+ | ¥7.51/个 |
| 30+ | ¥6.62/个 |
| 100+ | ¥5.62/个 |
| 500+ | ¥5.17/个 |
| 1000+ | ¥4.97/个 |
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